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TJ50S06M3L(T6L1,NQ
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TJ50S06M3L(T6L1,NQ Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 50A DPAK-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Supplier Device Package | DPAK+ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.8 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6290pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVI |
Power Dissipation (Max) | 90W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Ta) |
TJ50S06M3L(T6L1,NQ Documentos
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Otros incluyen "TJ50S" partes
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TJ50S06M3 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1129 |
TJ50S06M3L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 1449 |
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