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TH58NVG3S0HTAI0
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TH58NVG3S0HTAI0 Especificaciones técnicas
IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Speed | 25ns |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | EEPROM |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Size | 8Gb (1G x 8) |
Interface | Parallel/Serial |
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Las siguientes partes incluyen 'TH58N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TH58NVG1S3AFT05 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2510 |
TH58NVG2S3BTG00 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 49 |
TH58NVG2S3BTG00-DAH | TOS | CIs Calientes Especializados | 313 |
TH58NVG2S3ETA | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 371 |
TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 901 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 24154 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3267 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 1297 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3030 |
TH58NVG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2914 |
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