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TC58BVG2S0HTAI0
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TC58BVG2S0HTAI0 Especificaciones técnicas
IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Circuitos Integrados (ICs) / Memoria |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 2.7 V ~ 3.6 V |
Speed | 25ns |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Interface | Parallel |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 48-TSOP I |
Series | Benand™ |
Package / Case | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | EEPROM |
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Las siguientes partes incluyen 'TC58B'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 407 |
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 6636 |
TC58BVG0S3HBAI4JDH | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2576 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 1113 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 10367 |
TC58BVG0S3HTA0 | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 619 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | Memoria | 91467 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 2991 |
TC58BVG0S3HTA00 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 747 |
TC58BVG0S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | Memoria | 3039 |
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