TC58BVG2S0HTAI0 Especificaciones técnicas

IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Speed 25ns
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Size 4Gb (512M x 8)
Interface Parallel
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 48-TSOP I
Series Benand™
Package / Case 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Memory Type Non-Volatile
Memory Format EEPROM
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 407
TC58BVG0S3HBAI4 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 6636
TC58BVG0S3HBAI4JDH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2576
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 1113
TC58BVG0S3HBAI6 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 10367
TC58BVG0S3HTA0 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 619
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Semiconductor and Storage Memoria 91467
TC58BVG0S3HTA00 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 2991
TC58BVG0S3HTA00 IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 747
TC58BVG0S3HTAI0 Toshiba Memory America, Inc. Memoria 3039

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