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SSM6N61NU,LF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 410pF @ 10V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Power - Max 2W
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate, 1.5V Drive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
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Otros incluyen   "SSM6N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SSM6N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM6N005L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 10357
SSM6N005L ,EFF IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 10364
SSM6N005LEFF CIs Calientes Especializados 1249
SSM6N03FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4254
SSM6N03FE TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7474
SSM6N03FE TE85L ,F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 7506
SSM6N03FE TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7000
SSM6N04FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3308
SSM6N04FU MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17858
SSM6N05FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5300

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