SSM6L09FUTE85LF Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 200MA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20pF @ 5V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package US6
Power - Max 300mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA, 200mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM6L05FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 18665
SSM6L05FU MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19237
SSM6L05FU(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3387
SSM6L05FU(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 90000
SSM6L05FU(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2667
SSM6L05FU(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 90000
SSM6L05FU(TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 90500
SSM6L09FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 15901
SSM6L09FU MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3370
SSM6L09FU(TE85LF) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2960

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