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SSM6J505NU,LF Especificaciones técnicas

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVI
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37.6nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±6V
Supplier Device Package 6-UDFNB (2x2)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
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Otros incluyen   "SSM6J"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SSM6J' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM6J06FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7169
SSM6J07FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 102761
SSM6J08FU TOS CIs Calientes Especializados 29825
SSM6J08FU TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1719
SSM6J08FU TE85L ,F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1783
SSM6J08FU TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2674
SSM6J08FU TE85LF TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2260
SSM6J205FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3253
SSM6J206FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 12283
SSM6J206FE (TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3900

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