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SSM6J207FE,LF Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSII
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package ES6 (1.6x1.6)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 251 mOhm @ 650mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 137pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
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Otros incluyen   "SSM6J"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SSM6J' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM6J06FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7169
SSM6J07FU TOSHIBA CIs Calientes Especializados 102761
SSM6J08FU TOS CIs Calientes Especializados 29825
SSM6J08FU TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1719
SSM6J08FU TE85L ,F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1783
SSM6J08FU TE85L,F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2674
SSM6J08FU TE85LF TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2260
SSM6J205FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3253
SSM6J206FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 12283
SSM6J206FE (TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3900

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