SSM3K56MFV,L3F Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVII-H
Power Dissipation (Max) 150mW (Ta)
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package VESM
Rds On (Max) @ Id, Vgs 235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 55pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 800mA (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM3K TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3200
SSM3K01F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11631
SSM3K01F (TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3260
SSM3K01F(TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1348
SSM3K01F(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2000
SSM3K01F(TE85L) IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1022
SSM3K01F(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2588
SSM3K01F(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
SSM3K01F(TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2500
SSM3K01F(TE85LFM) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50

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