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SSM3K303T(TE85L,F) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package TSM
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83 mOhm @ 1.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.3nC @ 4V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta)
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SSM3K303T(TE85L,F) Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para SSM3K303T(TE85L,F)

Otros incluyen   "SSM3K"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SSM3K' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSM3K TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3200
SSM3K01F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11631
SSM3K01F (TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3260
SSM3K01F(TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1348
SSM3K01F(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2000
SSM3K01F(TE85L) IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1022
SSM3K01F(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2588
SSM3K01F(TE85L,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
SSM3K01F(TE85LF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2500
SSM3K01F(TE85LFM) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50

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