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RN4983FE,LF(CB
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RN4983FE,LF(CB Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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-
Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'RN498'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN4981 | TOS | CIs Calientes Especializados | 24430 |
RN4981,LF | TOS | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RN4981,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2623 |
RN4981FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 1765 |
RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2724 |
RN4981FE,LF(CB | Toshiba | Matrices de transistores BJT | |
RN4981FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT | |
RN4981LF | TOS | CIs Calientes Especializados | 3336 |
RN4982 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 382799 |
RN4982 TE85R | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3385 |
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