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RN4907FE,LF(CT Especificaciones técnicas
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Manufacturer Package Identifier | SON6-P-0.50 |
Part Status | Active |
Max Operating Temperature | 150°C |
Number of Elements | 2 |
Power Dissipation | 100mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 50V |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Continuous Collector Current | 100mA |
Height | 600μm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Weight | 3.005049mg |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 100mW |
Polarity | NPN, PNP |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA |
Frequency - Transition | 250MHz 200MHz |
hFE Min | 80 |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47k Ω |
RoHS Status | RoHS Compliant |
RN4907FE,LF(CT Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RN4907FE,LF(CT
-
Hojas de datos
Otros incluyen "RN490" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN490'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN4901 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 66284 |
RN4901(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2505 |
RN4901(T5LND ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1500 |
RN4901(T5LNDF) | TOS | CIs Calientes Especializados | 1500 |
RN4901,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2750 |
RN4901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2521 |
RN4901FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 7100 |
RN4901FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT | |
RN4902 | TOSHIB | CIs Calientes Especializados | 56667 |
RN4902(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 6000 |
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-40 TO 85C, 2520, 25PPM, 2.8V, 2
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