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RN2970FE(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 100mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package ES6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'RN297' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2971(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2792
RN2971FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 42020
RN2971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 4000
RN2972FS TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7000
RN2972HFE Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1600

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RN2970FE(TE85L,F) fabricantes de marca: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip existencias, RN2970FE(TE85L,F) precio de referencia. RN2970FE(TE85L,F) parámetros, RN2970FE(TE85L,F) Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el RN2970FE(TE85L,F) Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar RN2970FE(TE85L,F) diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, RN2970FE(TE85L,F) tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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