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RN2967(TE85L,F)
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RN2967(TE85L,F) Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | SC-101, SOT-883 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | US6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Otros incluyen "RN296" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN296'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN2961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2532 |
RN2961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2691 |
RN2962 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 11949 |
RN2962(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2758 |
RN2962(TE85LF) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2200 |
RN2962FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 20309 |
RN2962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2763 |
RN2963(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2636 |
RN2963CT | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 800 |
RN2963FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2723 |
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