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RN2964(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 100mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2532
RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2691
RN2962 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11949
RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2758
RN2962(TE85LF) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2200
RN2962FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20309
RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2763
RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2636
RN2963CT Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 800
RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2723

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