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RN2909,LF(CT Especificaciones técnicas

PNPX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 22k Ω
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Las siguientes partes incluyen  'RN290' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2901 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3331
RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2583
RN2901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN2901FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 16000
RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2634
RN2902 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 105117
RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2549
RN2902(T5RSNDFT Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 4762
RN2902(TE85R.F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 200
RN2902,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2522

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