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RN2711JE(TE85L,F)
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RN2711JE(TE85L,F) Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-553 |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ESV |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RN271" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN271'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN2710 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3280 |
RN2710,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT | |
RN2710JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2794 |
RN2711 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 75247 |
RN2711(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2798 |
RN2711,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT | |
RN2712JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2526 |
RN2713JE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2745 |
RN2714 MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3494 |
RN2714,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Matrices de transistores BJT |
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