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RN2608(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SM6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Las siguientes partes incluyen  'RN260' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2601 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2650
RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2746
RN2602 toshiba CIs Calientes Especializados 3259
RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2547
RN2602(TE85R) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2928
RN2603 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2510
RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2619
RN2604 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6000
RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2734
RN2605(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3500

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