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RN2418,LF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 47 k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
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Otros incluyen   "RN241"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RN241' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2410 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 81440
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN2411 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 280221
RN2411(TE85R Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 18344
RN2411(TE85R ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 18000
RN2411(TE85R,F) TOS CIs Calientes Especializados 15000
RN2411(TE85R.F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 18500
RN2411,LF TOS CIs Calientes Especializados 6000
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN2411LF TOS CIs Calientes Especializados 6490

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