RN2413TE85LF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2410 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 81440
RN2410,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN2411 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 280221
RN2411(TE85R Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 18344
RN2411(TE85R ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 18000
RN2411(TE85R,F) TOS CIs Calientes Especializados 15000
RN2411(TE85R.F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 18500
RN2411,LF TOS CIs Calientes Especializados 6000
RN2411,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN2411LF TOS CIs Calientes Especializados 6490

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