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RN2310(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2310 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2941
RN2310,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2672
RN2310,LXGF Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 12000
RN2310LXGF TOS CIs Calientes Especializados 12457
RN2311 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3021
RN2311 TE85R TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3437
RN2311(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2729
RN2311(YA) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
RN2311,LF TOS CIs Calientes Especializados 18000
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados

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