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RN2302,LF Especificaciones técnicas

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 100mW
Other Names RN2302LF
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
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Otros incluyen   "RN230"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RN230' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2301 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7438
RN2301(T5LCANO,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5333
RN2301(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2752
RN2301(TE85L.F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2963
RN2301,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2631
RN2301LF TOS CIs Calientes Especializados 348500
RN2302 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 8448
RN2302(T5LCANO.F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3400
RN2302(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2064
RN2302(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3000

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