RN2108MFV,L3F Especificaciones técnicas

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
Power - Max 150mW
Other Names RN2108MFVL3F
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Package / Case SOT-723
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN2101 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 54000
RN2101 TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9000
RN2101(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2738
RN2101(T5L,F,T) Toshiba Transistores BJT Pre-Biasados
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2759
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2729
RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2610
RN2101F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 8286
RN2101F(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6180
RN2101F(TPL3F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4500

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