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RN2107ACT(TPL3)
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RN2107ACT(TPL3) Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-101, SOT-883 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | CST3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RN210" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN210'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN2101 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 54000 |
RN2101 TE85L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 9000 |
RN2101(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2738 |
RN2101(T5L,F,T) | Toshiba | Transistores BJT Pre-Biasados | |
RN2101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2759 |
RN2101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2729 |
RN2101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2610 |
RN2101F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 8286 |
RN2101F(TPL3,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 6180 |
RN2101F(TPL3F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4500 |
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