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RN1968FE(TE85L,F)
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RN1968FE(TE85L,F) Especificaciones técnicas
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Otros incluyen "RN196" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN196'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2656 |
RN1961FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 15495 |
RN1961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 52000 |
RN1962 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3189 |
RN1962(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3208 |
RN1962(TE85L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RN1962(TE85L,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3000 |
RN1962FE | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 6394 |
RN1962FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados | 2561 |
RN1962FE(TE85L.F) | Original | CIs Calientes Especializados | 0 |
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Propósito Especial
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