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RN1965(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2656
RN1961FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 15495
RN1961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 52000
RN1962 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3189
RN1962(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3208
RN1962(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3000
RN1962(TE85L,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3000
RN1962FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6394
RN1962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2561
RN1962FE(TE85L.F) Original CIs Calientes Especializados 0

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