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RN1911,LF(CT Especificaciones técnicas

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1910 TOSHI CIs Calientes Especializados 2462070
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2537
RN1910AFS TOSHIBA CIs Calientes Especializados 9152
RN1910AFS IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 9138
RN1910AFS(TL3EKA Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 10332
RN1910AFS(TL3EKA,E TOSHIBA CIs Calientes Especializados 10000
RN1910AFS(TPL3) TOS CIs Calientes Especializados 30000
RN1910FE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 87206
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2639
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2595

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