RN1906,LF(CT Especificaciones técnicas

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1901 TOS CIs Calientes Especializados 139395
RN1901 ,LF Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 12307
RN1901(T5L TOS CIs Calientes Especializados 6309
RN1901(T5L ,F ,T) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6000
RN1901(T5L,F,T) TOS CIs Calientes Especializados 6000
RN1901(T5L.F.T) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6500
RN1901(T5RSN TOSHIBA CIs Calientes Especializados 21424
RN1901(T5RSN ,D ,F ,T Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 21392
RN1901(T5RSN,D,F,T TOSHIBA CIs Calientes Especializados 24500
RN1901(T5RSNDFT TOSHIBA CIs Calientes Especializados 36388

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