RN1711,LF Especificaciones técnicas

NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN171-I/RM Micrel / Microchip Technology Módulos Transceptores RF 2778
RN171-I/RM Microchip Technology Módulos Transceptores RF
RN171-I/RM441 Micrel / Microchip Technology CIs Calientes Especializados 628
RN171-I/RM475 Micrel / Microchip Technology Módulos Transceptores RF 2722
RN171-I/RM475 Microchip Technology Módulos Transceptores RF
RN171-I/RM480 Micrel / Microchip Technology Módulos Transceptores RF 2731
RN171-I/RM480 Microchip Technology Módulos Transceptores RF
RN171-I/RM481 Micrel / Microchip Technology Módulos Transceptores RF 2614
RN171-I/RM481 Microchip Technology Módulos Transceptores RF
RN171-I/RMPLX232 Micrel / Microchip Technology CIs Calientes Especializados 1162

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