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RN1708JE(TE85L,F) Especificaciones técnicas

NPN X 2 BRT, Q1BSR=22K?, Q1BER=4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-553
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Power - Max 100mW
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 2
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1W
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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Otros incluyen   "RN170"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RN170' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1701 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 6220
RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN1701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 2561
RN1702 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3500
RN1702(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 710
RN1702,LF Toshiba Semiconductor and Storage Matrices de transistores BJT
RN1702JE TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4347
RN1702JE(TE85L TOS CIs Calientes Especializados 4500
RN1702JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices, Prepolarizados 4000
RN1703 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 18526

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