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RN1425TE85LF Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 470
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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RN142-0.5-02 Schaffner EMC Inc. Estranguladores de Modo Común
RN142-0.5-02-82M Schaffner EMC, Inc. Estranguladores de Modo Común 2686
RN142-0.5-02-82M Schaffner EMC Inc. Estranguladores de Modo Común
RN142-1-02 Schaffner EMC, Inc. Estranguladores de Modo Común 2640
RN142-1-02 Schaffner EMC Inc. Estranguladores de Modo Común
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RN1425TE85LF fabricantes de marca: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip existencias, RN1425TE85LF precio de referencia. RN1425TE85LF parámetros, RN1425TE85LF Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el RN1425TE85LF Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar RN1425TE85LF diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, RN1425TE85LF tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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