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RN1415(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Otros incluyen   "RN141"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RN141' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1410 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4939
RN1410(XK) Original CIs Calientes Especializados 12000
RN1410,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN1410LF Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 54481
RN1411 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 375807
RN1411 TE85R TOSHIBA CIs Calientes Especializados 13485
RN1411(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2000
RN1411,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN1412 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 30000
RN1412,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados

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