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RN1311,LF Especificaciones técnicas

X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Power - Max 100mW
Other Names RN1311LF
Manufacturer Standard Lead Time 16 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1310 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 269285
RN1310(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 3299
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 3000
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT Pre-Biasados
RN1311 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 40944
RN1311(TE85L.F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 7300
RN1311LF TOS CIs Calientes Especializados 39444
RN1312 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 42000
RN1312(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2788
RN1313 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 33000

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