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RN1117(TE85L,F) Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SC-75, SOT-416
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Power - Max 100mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Number of Elements 1
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1W
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 k Ω
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Otros incluyen   "RN111"   partes

Las siguientes partes incluyen  'RN111' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1110 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4003
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2537
RN1110(T5LFT) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4100
RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2529
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2553
RN1110CT TOSHIBA CIs Calientes Especializados 70500
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2622
RN1110F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11826
RN1110FS TOSHIBA CIs Calientes Especializados 10360
RN1110MFV TOSHIBA CIs Calientes Especializados 136202

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