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RN1111CT(TPL3)
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RN1111CT(TPL3) Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 50mW |
Package / Case | SC-101, SOT-883 |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | CST3 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RN111" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN111'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN1110 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4003 |
RN1110(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2537 |
RN1110(T5LFT) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4100 |
RN1110,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2529 |
RN1110ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2553 |
RN1110CT | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 70500 |
RN1110CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2622 |
RN1110F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 11826 |
RN1110FS | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 10360 |
RN1110MFV | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 136202 |
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