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RN1106,LF(CT
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RN1106,LF(CT Especificaciones técnicas
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 47k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | SSM |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 4.7k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "RN110" partes
Las siguientes partes incluyen 'RN110'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RN1101 | TOSHI | CIs Calientes Especializados | 3078 |
RN1101 TE85L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 146201 |
RN1101(TE85L) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3116 |
RN1101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2747 |
RN1101ACT | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 20449 |
RN1101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2783 |
RN1101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 60000 |
RN1101F | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 30242 |
RN1101FS | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2266 |
RN1101FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2000 |
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