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RN1103MFV,L3F Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
RN1101 TOSHI CIs Calientes Especializados 3078
RN1101 TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 146201
RN1101(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3116
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2747
RN1101ACT TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20449
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2783
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 60000
RN1101F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 30242
RN1101FS TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2266
RN1101FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2000

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