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MT3S20P(TE12L,F)
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MT3S20P(TE12L,F) Especificaciones técnicas
TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Supplier Device Package | PW-MINI |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Frequency - Transition | 7GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1.8W |
Package / Case | TO-243AA |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
Gain | 16.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
MT3S20P(TE12L,F) Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MT3S20P(TE12L,F)
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Hojas de datos
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Otros incluyen "MT3S2" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT3S2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT3S20P | TI | CIs Calientes Especializados | 2065 |
MT3S20R | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 398 |
MT3S20TU | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 5494 |
MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2738 |
MT3S21P | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 39000 |
MT3S22P | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 1478 |
MT3S22P(TE12L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 4000 |
MT3S22P(TE12L,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4000 |
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