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MT3S111P(TE12L,F)
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MT3S111P(TE12L,F) Especificaciones técnicas
RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 6V |
Supplier Device Package | PW-MINI |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | MT3S111P(TE12LF)CT |
Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Frequency - Transition | 8GHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1W |
Package / Case | TO-243AA |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Gain | 10.5dB |
Detailed Description | RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Otros incluyen "MT3S1" partes
Las siguientes partes incluyen 'MT3S1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MT3S105FS | Toshiba | CIs Calientes Especializados | 20207 |
MT3S106 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 43400 |
MT3S106FS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2000379 |
MT3S106FS IC | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 30476 |
MT3S106T | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3400 |
MT3S111 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2884 |
MT3S111(TE85L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2900 |
MT3S111(TE85L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1946 |
MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - RF | 2598 |
MT3S111(TE85L,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2735 |
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