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HN2D01JE(TE85L,F) Especificaciones técnicas

DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 100mA
Supplier Device Package ESV
Reverse Recovery Time (trr) 1.6ns
Package / Case SOT-553
Mounting Type Surface Mount
Diode Configuration 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 80V
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Las siguientes partes incluyen  'HN2D0' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HN2D01F TOSHIBA CIs Calientes Especializados 4963
HN2D01F TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3264
HN2D01F(TE85L) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2778
HN2D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 5815
HN2D01F(TE85R) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3400
HN2D01FTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage Diodos - Rectificadores - Matrices 2570
HN2D01FTE85R TOSHIBA CIs Calientes Especializados 15000
HN2D01FU TOS CIs Calientes Especializados 1748
HN2D01FU TE85L TOSHIBA CIs Calientes Especializados 3317
HN2D01FU(T5L ,PP ,E) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 6000

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