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HN2C01FU-GR(T5L,F)
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HN2C01FU-GR(T5L,F) Especificaciones técnicas
TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | US6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 125°C (TJ) |
Frequency - Transition | 80MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "HN2C0" partes
Las siguientes partes incluyen 'HN2C0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HN2C01FE-GR | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 6988 |
HN2C01FE-GR(T5L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2603 |
HN2C01FE-Y | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4000 |
HN2C01FEYTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2729 |
HN2C01FU-GR | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3389 |
HN2C01FU-Y | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2950 |
HN2C01FU-Y(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2622 |
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