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HN1B04F(TE85L,F)
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HN1B04F(TE85L,F) Especificaciones técnicas
TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | NPN, PNP |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 100mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
Supplier Device Package | SM6 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Otros incluyen "HN1B0" partes
Las siguientes partes incluyen 'HN1B0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HN1B01F-GR | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 4022 |
HN1B01F-GR TE85L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 6439 |
HN1B01F-GR(T5L | TOS | CIs Calientes Especializados | 3500 |
HN1B01F-GR(T5L ,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3000 |
HN1B01F-GR(T5L,T) | TOS | CIs Calientes Especializados | 3000 |
HN1B01F-GR(TE85L) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 3520 |
HN1B01F-GR(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Matrices | 2698 |
HN1B01F-Y | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2246 |
HN1B01F-Y TE85L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 18500 |
HN1B01FDW1 | ON | CIs Calientes Especializados | 6705 |
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