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2SK879-GR(TE85L,F)
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2SK879-GR(TE85L,F) Especificaciones técnicas
JFET N-CH 0.1W USM
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - JFETs |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 400mV @ 100nA |
Resistance - RDS(On) | - |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | 125°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | USM |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Mounting Type | Surface Mount |
FET Type | N-Channel |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.6mA @ 10V |
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Otros incluyen "2SK87" partes
Las siguientes partes incluyen '2SK87'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SK871 | NEC | CIs Calientes Especializados | 580 |
2SK872 | NEC | CIs Calientes Especializados | 1660 |
2SK873 | NEC | CIs Calientes Especializados | 3789 |
2SK874 | NEC | CIs Calientes Especializados | 4326 |
2SK875 | NEC | CIs Calientes Especializados | 395 |
2SK876 | NEC | CIs Calientes Especializados | 5564 |
2SK879-0(TE85R ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3000 |
2SK879-0(TE85RF) | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3000 |
2SK879-GR | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 292 |
2SK879-GR(TE85R | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 6500 |
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