2SK3662(F) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220NIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5 mOhm @ 18A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5120pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSIII
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SK360 Original CIs Calientes Especializados 3261
2SK360-TL HITACHI CIs Calientes Especializados 2757
2SK3600-01S-TE24R FUJI CIs Calientes Especializados 1044
2SK3603 FUJT CIs Calientes Especializados 2343
2SK3603-01MR F CIs Calientes Especializados 32847
2SK3604-01L FUJITSU CIs Calientes Especializados 3079
2SK3607 FUJ CIs Calientes Especializados 3157
2SK3607-01MR FUJ/ CIs Calientes Especializados 7839
2SK3607-01MR=TK20A20D IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2800
2SK3608-01S FUJI CIs Calientes Especializados 592

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