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2SJ380(F) Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220NIS
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 210 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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Otros incluyen   "2SJ38"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SJ380 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2431
2SJ380(PP TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20500
2SJ380(PP ,F) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 20961
2SJ380(PP,F) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20000
2SJ380(PPF) TOSHIBA CIs Calientes Especializados 20500
2SJ380/J380 Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 883
2SJ381 Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 15655
2SJ381-TD SAYON CIs Calientes Especializados 2867
2SJ381-TD-E Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 2600
2SJ383 S CIs Calientes Especializados 10000

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