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2SJ360(TE12L,F)
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2SJ360(TE12L,F) Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Supplier Device Package | PW-MINI |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Package / Case | TO-243AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 500mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 155pF @ 10V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
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Otros incluyen "2SJ36" partes
Las siguientes partes incluyen '2SJ36'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SJ360 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 96289 |
2SJ360(F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2601 |
2SJ360(TE12L | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 549 |
2SJ360(TE12L ,F) MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1241 |
2SJ360(TE12LF) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2518 |
2SJ361 | NEC | CIs Calientes Especializados | 2556 |
2SJ361RYTL | RENESAS | CIs Calientes Especializados | 11000 |
2SJ361RYTR | HITACHI | CIs Calientes Especializados | 4000 |
2SJ361RYTR-E | RENASES | CIs Calientes Especializados | 2650 |
2SJ362 | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 10473 |
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