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2SD2206,T6F(J
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2SD2206,T6F(J Especificaciones técnicas
TRANS NPN 2A 100V TO226-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 900mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 1A, 2V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-92MOD |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
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Las siguientes partes incluyen '2SD22'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SD2201-TL | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2083 |
2SD2204 | TOSHIBA/ | CIs Calientes Especializados | 774 |
2SD2206 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2500 |
2SD2206(T6CANO,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2729 |
2SD2206(T6CNO,A,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2576 |
2SD2206(T6F(J | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 69384 |
2SD2206(T6PP | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 585261 |
2SD2206(T6PP,A,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 585000 |
2SD2206(T6PP1 | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 30253 |
2SD2206(T6PP1,A,F) | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 30000 |
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