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2SD1223(TE16L1,NQ)
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2SD1223(TE16L1,NQ) Especificaciones técnicas
2SD1223(TE16L1,NQ) datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Toshiba Semiconductor and Storage stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 1W |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Max Collector Current | 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 80V |
Collector Base Voltage (VCBO) | 100V |
hFE Min | 2000 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Silver, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 63 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2010 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 1W |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Polarity | NPN |
Case Connection | COLLECTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 80V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 2SD1223(TE16L1,NQ)
-
Hojas de datos
Otros incluyen "2SD12" partes
Las siguientes partes incluyen '2SD12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SD1200F | Sanyo Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 85 |
2SD1202 | CS | CIs Calientes Especializados | 26282 |
2SD1204 | CS | CIs Calientes Especializados | 27879 |
2SD1207 | SAY | CIs Calientes Especializados | 2530 |
2SD1207S | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2732 |
2SD1207S | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SD1207S-AE | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2452 |
2SD1207S-AE | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SD1207T | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2752 |
2SD1207T | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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