2SC3326-B,LF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Transistor Type NPN
Power - Max 150mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Supplier Device Package TO-236
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 125°C (TJ)
Frequency - Transition 30MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SC3300 TOS CIs Calientes Especializados 338
2SC3301 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 11000
2SC3303 TOS CIs Calientes Especializados 12484
2SC3303 IC CJ CIs Calientes Especializados 9301
2SC3303 MOS Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 979
2SC3303-0E TOSHIBA CIs Calientes Especializados 7700
2SC3303-Y TOS CIs Calientes Especializados 35426
2SC3303-Y(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage Transistores BJT individuales
2SC3303-Y(TE16L1N) Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1460
2SC3303-Y/TO-251 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 10301

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