2SA1972,F(J Especificaciones técnicas

TRANS PNP 500MA 400V TO226-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type PNP
Power - Max 900mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 20mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package TO-92MOD
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 35MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SA1900 ROHM CIs Calientes Especializados 977
2SA1900 Q ROHM CIs Calientes Especializados 2664
2SA1900 T100Q ROHM CIs Calientes Especializados 1824
2SA1900-Q ROHM CIs Calientes Especializados 35000
2SA1900GT100Q LAPIS Semiconductor CIs Calientes Especializados 48298
2SA1900T100Q LAPIS Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9925
2SA1900T100Q ROHM Semiconductor Transistores BJT individuales
2SA1902 UTG CIs Calientes Especializados 2757
2SA1903 UTG CIs Calientes Especializados 2715
2SA1905-Y TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2704

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