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2SA1930,ONKQ(J
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2SA1930,ONKQ(J Especificaciones técnicas
TRANS PNP 2A 180V TO220-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 180V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-220NIS |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5µA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2SA19" partes
Las siguientes partes incluyen '2SA19'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2SA1900 | ROHM | CIs Calientes Especializados | 977 |
2SA1900 Q | ROHM | CIs Calientes Especializados | 2664 |
2SA1900 T100Q | ROHM | CIs Calientes Especializados | 1824 |
2SA1900-Q | ROHM | CIs Calientes Especializados | 35000 |
2SA1900GT100Q | LAPIS Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 48298 |
2SA1900T100Q | LAPIS Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9925 |
2SA1900T100Q | ROHM Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2SA1902 | UTG | CIs Calientes Especializados | 2757 |
2SA1903 | UTG | CIs Calientes Especializados | 2715 |
2SA1905-Y | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 2704 |
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